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FDV303N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.060 | CNY106.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.060 (CNY1.1978) |
| 500+ | CNY0.679 (CNY0.7673) |
| 1500+ | CNY0.665 (CNY0.7514) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.664 (CNY0.7503) |
| 9000+ | CNY0.651 (CNY0.7356) |
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产品概述
FDV303N 是一款表面贴装 N 沟道逻辑电平增强模式数字 FET，采用 SOT-23 封装。该器件采用高单元密度 DMOS 技术，专为最大限度地降低导通电阻和维持低栅极驱动条件而设计。即使在栅极驱动电压低至 2.5V 的情况下，它仍具有出色的导通电阻，设计用于使用一个锂电池或三个镉电池或 NHM 电池的电池电路、逆变器、手机和寻呼机等电子设备中的高效微型分立 DC/DC 转换。
- 漏-源电压(Vds): 25V
- 栅-源电压: 8V
- 连续漏极电流(ld): 680mA
- 功耗: 350mW
- Vgs 4.5V时, 低导通电阻330mohm
- 工作温度范围: -55°C到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
680mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.45ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035