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FDT86102LZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.860 | CNY39.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 50+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 250+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 1000+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 2000+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 4000+ | CNY3.030 (CNY3.4239) |
| 12000+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDT86102LZ
库存编号
整卷4319653
复卷2083341RL
切割卷带2083341
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续6.6A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散2.2W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
This N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
- Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.6A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
4引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00044