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FDT3612
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.230 | CNY8.23 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
| 10+ | CNY5.160 (CNY5.8308) |
| 100+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 500+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 1000+ | CNY2.050 (CNY2.3165) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDT3612
库存编号
复卷1700642RL
切割卷带1700642
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续3.7A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散3W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDT3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 14nC Typical low gate charge
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00044