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FDS8880
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 50+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
| 100+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 1000+ | CNY2.850 (CNY3.2205) |
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产品概述
The FDS8880 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handling capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11.6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000213