打印页面
FDS8638
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, 表面安装
1,806 有货
需要更多？
1,806 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.050 (CNY12.4865) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY11.05 (CNY12.49 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FDS8638 is a N-channel MOSFET produced using advance PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 100% UIL tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDS8638 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01