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FDS6675BZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.540 | CNY37.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.540 (CNY8.5202) |
| 50+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 100+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 500+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
| 1000+ | CNY4.850 (CNY5.4805) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 7500+ | CNY4.660 (CNY5.2658) |
品項附註
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产品概述
FDS6675BZ是一款-30V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 扩展VGSS范围（-25V），用于电池应用
- HBM ESD保护等级 ±5.4kV (典型值)
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.013ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDS6675BZ 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000226