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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.910 | CNY39.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.910 (CNY8.9383) |
| 50+ | CNY6.800 (CNY7.684) |
| 100+ | CNY5.670 (CNY6.4071) |
| 500+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 1000+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY5.340 (CNY6.0342) |
| 7500+ | CNY5.240 (CNY5.9212) |
品項附註
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产品概述
FDS4935A是先进的PowerTrench工艺的双P沟道PowerTrench® MOSFET坚固的栅极版本。它已被优化用于需要宽范围栅极驱动电压等级(4.5V至20V)的电源管理应用。它适用于负载开关和电池保护应用。
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- ±20V栅极-源极电压
- -7A连续漏极电流
- -30A脉冲漏电流
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
FDS4935A 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000335

