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FDS4672A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.820 | CNY10.82 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 10+ | CNY6.760 (CNY7.6388) |
| 100+ | CNY4.410 (CNY4.9833) |
| 500+ | CNY3.410 (CNY3.8533) |
| 1000+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
| 5000+ | CNY3.280 (CNY3.7064) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4672A复制
库存编号
复卷2453418RL
切割卷带2453418
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续11A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDS4672A is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 35nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000187