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FDS3572
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.200 | CNY18.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.200 (CNY20.566) |
| 10+ | CNY11.740 (CNY13.2662) |
| 100+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 500+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 1000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 5000+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS3572
库存编号
复卷2453413RL
切割卷带2453413
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续8.9A
漏源接通状态电阻0.016ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDS3572 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in primary switch for isolated DC-to-DC converters, high voltage synchronous rectifier for DC bus converters, distributed power and intermediate bus architectures.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.9A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.016ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000187