打印页面
FDN5618P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
256,629 有货
需要更多？
17630 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
238999 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.110 | CNY35.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.110 (CNY8.0343) |
| 50+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 100+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 500+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 1500+ | CNY2.030 (CNY2.2939) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.990 (CNY2.2487) |
| 9000+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
FDN5618P是一款表面安装, 60V P沟道逻辑电平powerTrench MOSFET, superSOT-23封装. PowerTrench工艺可以最大限度地降低导通电阻, 并保持较低的栅极电荷, 实现卓越的开关性能. 该器件非常适合低电压和电池供电的应用.
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- 漏极至源极电压 (Vds): -60V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流(ld): -1.25A
- 500mW功耗 (pd)
- Vgs -4.5V时, 185mohm导通电阻
- 工作结温范围: -55°C至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.25A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDN5618P 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035