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FDN359AN

功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI FDN359AN
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN359AN
库存编号
整卷2985377
复卷9845372RL
切割卷带9845372
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5+CNY3.410 (CNY3.8533)
50+CNY2.800 (CNY3.164)
100+CNY2.180 (CNY2.4634)
500+CNY1.520 (CNY1.7176)
1500+CNY1.490 (CNY1.6837)
整卷
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号FDN359AN
    库存编号
    整卷2985377
    复卷9845372RL
    切割卷带9845372
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds30V
    电流, Id 连续2.7A
    漏源接通状态电阻0.046ohm
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值1.6V
    功率耗散500mW
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

  • The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

    • Very fast switching
    • Low gate charge
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    2.7A

    晶体管封装类型

    SOT-23

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    500mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    30V

    漏源接通状态电阻

    0.046ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    1.6V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

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  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Philippines
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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