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FDN357N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.710 | CNY28.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 50+ | CNY4.640 (CNY5.2432) |
| 100+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 500+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 1500+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
| 9000+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
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产品概述
The FDN357N is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount-package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000083