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FDN342P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.870 | CNY34.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.870 (CNY7.7631) |
| 10+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 100+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 500+ | CNY2.150 (CNY2.4295) |
| 1000+ | CNY1.670 (CNY1.8871) |
| 5000+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN342P
库存编号
复卷1611160RL
切割卷带1611160
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.062ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.05V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDN342P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (2.5 to 12V).
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.062ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.05V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000055