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FDN302P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.160 | CNY15.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 50+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 100+ | CNY2.030 (CNY2.2939) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1500+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 9000+ | CNY1.310 (CNY1.4803) |
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- 制造商ONSEMI制造商产品编号FDN302P库存编号整卷2438444复卷1471046RL切割卷带1471046技术数据表通道类型P通道漏源电压, Vds20V电流, Id 连续2.4A漏源接通状态电阻0.055ohm晶体管封装类型SuperSOT晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压4.5V阈值栅源电压最大值1V功率耗散500mW针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
FDN302P是一款-20V P沟道2.5V专用PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
- 通道类型
P通道
电流, Id 连续2.4A
晶体管封装类型SuperSOT
Rds(on)测试电压4.5V
功率耗散500mW
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds20V
漏源接通状态电阻0.055ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值1V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
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- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.000001