打印页面
FDMS86550ET60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,806 有货
需要更多？
2806 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 1 | CNY61.200 | CNY61.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY61.200 (CNY69.156) |
| 5+ | CNY50.170 (CNY56.6921) |
| 10+ | CNY39.140 (CNY44.2282) |
| 50+ | CNY36.100 (CNY40.793) |
| 100+ | CNY33.060 (CNY37.3578) |
| 250+ | CNY32.410 (CNY36.6233) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86550ET60
库存编号
复卷3368753RL
切割卷带3368753
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续245A
漏源接通状态电阻0.00165ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.3V
功率耗散187W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
245A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
187W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.00165ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.3V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004