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FDMS7650
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY18.290 | CNY91.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY18.290 (CNY20.6677) |
| 50+ | CNY15.550 (CNY17.5715) |
| 100+ | CNY12.810 (CNY14.4753) |
| 500+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
| 1500+ | CNY9.940 (CNY11.2322) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
| 9000+ | CNY7.990 (CNY9.0287) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS7650复制
库存编号
整卷2323181
复卷1885760RL
切割卷带1885760
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻990µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDMS7650 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge and extremely low RDS (ON). It is suitable for O-ring FET and synchronous rectifier.
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
990µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000234