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FDMS6681Z
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.660 | CNY22.66 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.660 (CNY25.6058) |
| 10+ | CNY16.590 (CNY18.7467) |
| 100+ | CNY13.910 (CNY15.7183) |
| 500+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 1000+ | CNY12.260 (CNY13.8538) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS6681Z
库存编号
复卷2083283RL
切割卷带2083283
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续122A
漏源接通状态电阻3200µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散73W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (19-Jan-2021)
产品概述
FDMS6681Z是一款-30V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- HBM ESD保护等级 8kV (典型值)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
122A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
73W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003