打印页面
FDMC86102L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,935 有货
需要更多？
2,935 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.590 | CNY57.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.590 (CNY13.0967) |
| 50+ | CNY9.760 (CNY11.0288) |
| 100+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 500+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 1500+ | CNY5.660 (CNY6.3958) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FDMC86102L is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance.
- Low-profile
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDMC86102L 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000064