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产品概述
The FDMC6675BZ is a P-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest RDS (ON) and ESD protection. It is suitable for load switch and battery pack applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- 8kV typical HBM ESD protection level
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
36W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDMC6675BZ 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000318

