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FDMC3612
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC3612
库存编号2083247
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续16A
漏源接通状态电阻0.092ohm
晶体管封装类型WDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散35W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDMC3612 is an N-channel MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
WDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
35W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.092ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000061