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FDG8842CZ
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 750 mA, 750 mA, 0.25 ohm
已停产
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG8842CZ复制
库存编号
复卷1498955RL
切割卷带1498955
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道750mA
连续漏极电流 Id P沟道750mA
漏源通态电阻N沟道0.25ohm
漏源导通电阻P沟道0.25ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道380mW
耗散功率P沟道360mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
FDG8842CZ 的替代之选
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产品概述
The FDG8842CZ is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
750mA
漏源导通电阻P沟道
0.25ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
360mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
750mA
漏源通态电阻N沟道
0.25ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
380mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033