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FDG6317NZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY2.540 | CNY12.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
| 50+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 100+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
| 500+ | CNY0.915 (CNY1.0339) |
| 1500+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6317NZ复制
库存编号
复卷2453407RL
切割卷带2453407
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道700mA
连续漏极电流 Id P沟道700mA
漏源通态电阻N沟道0.3ohm
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
FDG6317NZ 的替代之选
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产品概述
The FDG6317NZ is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package.
- Low gate charge
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (1.6kV human body model)
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount package
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
700mA
漏源通态电阻N沟道
0.3ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001035