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FDG6306P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
已停产
包装选项
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6306P复制
库存编号
复卷2453406RL
切割卷带2453406
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道600mA
连续漏极电流 Id P沟道600mA
漏源通态电阻N沟道0.3ohm
漏源导通电阻P沟道0.3ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
FDG6306P 的替代之选
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产品概述
The FDG6306P is a dual P-channel MOSFET rugged gate version advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use with battery management and load switch applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount-package
- ±12V Gate to source voltage
- -0.6A Continuous drain current
- -2A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源导通电阻P沟道
0.3ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.3ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000627