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FDD7N20TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 5 A, 0.69 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.950 | CNY34.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 50+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 100+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 500+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 1000+ | CNY3.250 (CNY3.6725) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD7N20TM
库存编号
复卷2453852RL
切割卷带2453852
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续5A
漏源接通状态电阻0.69ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散43W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDD7N20TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 5nC Typical low gate charge
- 5pF typical low Crss
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
43W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.69ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDD7N20TM 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00026