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FDD5N50NZFTM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 3.7 A, 1.75 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
已停产
包装选项
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD5N50NZFTM复制
库存编号
复卷3368733RL
切割卷带3368733
产品范围UniFET II FRFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续3.7A
漏源接通状态电阻1.75ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散62.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围UniFET II FRFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.7A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
1.75ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
UniFET II FRFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009072