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FDD2582
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.160 | CNY14.16 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.160 (CNY16.0008) |
| 10+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 100+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 500+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 1000+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 5000+ | CNY4.000 (CNY4.520) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD2582
库存编号
复卷2454151RL
切割卷带2454151
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续21A
漏源接通状态电阻0.058ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散95W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDD2582 is a N-channel MOSFET produced PowerTrench® process. It is suitable for use in high voltage synchronous rectification, electronic valve train system, DC-to-DC converters and off-line UPS application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
- AEC-Q101 Qualified
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
95W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.058ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00026