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FDD18N20LZ

功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI FDD18N20LZ
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD18N20LZ
库存编号
复卷2822532RL
切割卷带2822532
产品范围UniFET
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切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY19.500 (CNY22.035)
10+CNY12.720 (CNY14.3736)
100+CNY8.770 (CNY9.9101)
500+CNY7.010 (CNY7.9213)
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5000+CNY6.420 (CNY7.2546)
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号FDD18N20LZ
    库存编号
    复卷2822532RL
    切割卷带2822532
    产品范围UniFET
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds200V
    电流, Id 连续16A
    漏源接通状态电阻0.1ohm
    晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.5V
    功率耗散89W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围UniFET
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    16A

    晶体管封装类型

    TO-252 (DPAK)

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    89W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    200V

    漏源接通状态电阻

    0.1ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    UniFET

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000486