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FDD16AN08A0
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.410 | CNY22.41 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.410 (CNY25.3233) |
| 10+ | CNY14.480 (CNY16.3624) |
| 100+ | CNY9.930 (CNY11.2209) |
| 500+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 5000+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD16AN08A0复制
库存编号
复卷2453397RL
切割卷带2453397
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.016ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散135W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDD16AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
135W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.016ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00056