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FDC658P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.070 | CNY35.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 50+ | CNY5.870 (CNY6.6331) |
| 100+ | CNY4.670 (CNY5.2771) |
| 500+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
| 1500+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 9000+ | CNY3.140 (CNY3.5482) |
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产品概述
The FDC658P is a logic level single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000016