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FDC658AP
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.670 | CNY23.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.670 (CNY5.2771) |
| 50+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 100+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
| 500+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 1500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 9000+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
品項附註
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产品概述
The FDC658AP is a logic level single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
FDC658AP 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000129