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FDC655BN
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.840 | CNY19.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.840 (CNY4.3392) |
| 50+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 100+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 500+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 1500+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 9000+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
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产品概述
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDC655BN 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000015