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FDC645N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.310 | CNY26.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.310 (CNY6.0003) |
| 50+ | CNY4.410 (CNY4.9833) |
| 100+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 500+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 1500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
| 9000+ | CNY2.000 (CNY2.260) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC645N复制
库存编号
整卷2985491
复卷9845453RL
切割卷带9845453
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续5.5A
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDC645N是一款30V N沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款最新的中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，RDS（on）极低
- 高功率与大电流处理能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
6引脚
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000052