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FDC642P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.340 | CNY31.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.340 (CNY7.1642) |
| 10+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
| 100+ | CNY2.490 (CNY2.8137) |
| 500+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 1000+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
| 5000+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC642P
库存编号
复卷2453845RL
切割卷带2453845
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4A
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC642P is a 2.5V specified single P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the larger packages are impractical. It is suitable for use in load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 11nC typical low gate charge
注释
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.045ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDC642P 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000036