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FDC638APZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.130 | CNY20.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 50+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 100+ | CNY2.620 (CNY2.9606) |
| 500+ | CNY1.860 (CNY2.1018) |
| 1500+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC638APZ
库存编号
复卷1495226RL
切割卷带1495226
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.5A
漏源接通状态电阻0.043ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC638APZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.043ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDC638APZ 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000015