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FDC637BNZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 10+ | CNY3.710 (CNY4.1923) |
| 100+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 500+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
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| 5000+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
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产品概述
The FDC637BNZ is a 2.5V specified N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-free
- 2kV typical HBM ESD protection level
- 8nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.2A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDC637BNZ 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01