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FDC637AN
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.770 | CNY8.77 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
| 10+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
| 100+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
| 500+ | CNY2.750 (CNY3.1075) |
| 1000+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 5000+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC637AN
库存编号
复卷1700712RL
切割卷带1700712
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续6.2A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值820mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC637AN is a 2.5V specified single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 10.5nC typical low gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.2A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
820mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002