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FDC6327C
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.870 | CNY34.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.870 (CNY7.7631) |
| 50+ | CNY5.710 (CNY6.4523) |
| 100+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
| 500+ | CNY3.220 (CNY3.6386) |
| 1500+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 9000+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
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产品概述
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.9A
漏源导通电阻P沟道
0.17ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.7A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049