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FDC6310P
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY6.380 | CNY6.38 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.380 (CNY7.2094) |
| 10+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
| 100+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 500+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 1000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 5000+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC6310P复制
库存编号
复卷2453395RL
切割卷带2453395
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道2.2A
连续漏极电流 Id P沟道2.2A
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
晶体管封装类型SOT-23
针脚数6引脚
耗散功率N沟道960mW
耗散功率P沟道960mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDC6310P 是一款双P沟道MOSFET, 采用先进的PowerTrench®工艺制造. 经过专门设计, 可最大限度地降低导通电阻, 同时保持低栅极电荷, 以实现出色的开关性能. 该器件具有非常小的占位面积, 卓越的功耗, 适用于负载开关和电池保护应用等.
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 占位空间小
- 薄型
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
2.2A
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
960mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.2A
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
晶体管封装类型
SOT-23
耗散功率N沟道
960mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000036