打印页面
FDC6303N
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
117,163 有货
需要更多？
117,163 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.720 | CNY18.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 50+ | CNY3.070 (CNY3.4691) |
| 100+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 500+ | CNY2.380 (CNY2.6894) |
| 1500+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 9000+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
680mA
漏源通态电阻N沟道
0.45ohm
晶体管封装类型
SuperSOT
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000204