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FDC606P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.520 | CNY27.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
| 50+ | CNY4.570 (CNY5.1641) |
| 100+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 500+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 1500+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC606P
库存编号
复卷1495224RL
切割卷带1495224
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续6A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值500mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC606P is a 1.8V specified P-channel MOSFET uses low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management, load switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
500mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318