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FDC3612
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.260 | CNY26.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.260 (CNY5.9438) |
| 50+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
| 100+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 500+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 1500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
品項附註
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC3612
库存编号
复卷1700702RL
切割卷带1700702
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续2.6A
漏源接通状态电阻0.125ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 14nC Typical low gate charge
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.6A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002