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FDB52N20TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
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| 切割卷带 | 1 | CNY29.730 | CNY29.73 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY29.730 (CNY33.5949) |
| 10+ | CNY19.420 (CNY21.9446) |
| 100+ | CNY13.550 (CNY15.3115) |
| 500+ | CNY13.280 (CNY15.0064) |
| 1000+ | CNY13.010 (CNY14.7013) |
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产品概述
The FDB52N20TM is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.
- 100% avalanche tested
- 49nC typical low gate charge
- 66pF typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
52A
晶体管封装类型
TO-263AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
357W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.049ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
2引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001312