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FDA38N30

功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, 通孔

ONSEMI
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ONSEMI FDA38N30
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDA38N30
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  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号FDA38N30
    库存编号2453389
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds300V
    电流, Id 连续38A
    漏源接通状态电阻0.07ohm
    晶体管封装类型TO-204AA
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值5V
    功率耗散312W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

  • FDA38N30是一款UniFET™ N沟道MOSFET，采用高压平面条纹和DMOS技术生产。它是为降低导通电阻而定制的，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关电源转换器的应用，如功率因素校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

    • 60nC典型低栅极电荷
    • 60pF典型低Crss
    • 100%经过雪崩测试
    • 增强型ESD性能
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    38A

    晶体管封装类型

    TO-204AA

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    312W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    300V

    漏源接通状态电阻

    0.07ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量（千克）：.006401