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产品概述
FCP4N60 是一款600V N沟道SuperFET® MOSFET, 高压超结(SJ) MOSFET采用电荷平衡技术, 实现低导通电阻和低栅极电荷性能。这种技术经过优化, 可最大程度地减少传导损耗, 提供出色的开关性能, dV/dt性能, 优秀的雪崩能力。因此, SuperFET MOSFET适用于开关电源应用, 例如PFC, 服务器/电信电源, FPD TV电源, ATX电源和工业电源应用。该器件适用于许多不同的应用。
- 超低栅极电荷
- 低有效输出电容
- 100%经过雪崩测试
注释
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (14-Jun-2023)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00635

