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FCB070N65S3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 44 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY56.810 | CNY56.81 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY56.810 (CNY64.1953) |
| 10+ | CNY38.920 (CNY43.9796) |
| 100+ | CNY29.550 (CNY33.3915) |
| 500+ | CNY27.580 (CNY31.1654) |
| 1000+ | CNY27.030 (CNY30.5439) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCB070N65S3
库存编号
复卷2565205RL
切割卷带2565205
产品范围SuperFET III
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续44A
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散312W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET III
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
- N-channel, SUPERFET® III power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
44A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
312W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
SuperFET III
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001