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EFC8811R-TF

双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI EFC8811R-TF 双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
ONSEMI EFC8811R-TF
ONSEMI EFC8811R-TF
制造商ONSEMI
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库存编号
复卷2706277RL
切割卷带2706277
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合计 价钱 (含税) CNY12.65 (CNY14.29)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY12.650 (CNY14.2945)
10+CNY8.090 (CNY9.1417)
100+CNY5.350 (CNY6.0455)
500+CNY4.210 (CNY4.7573)
1000+CNY3.460 (CNY3.9098)
5000+CNY3.260 (CNY3.6838)
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号EFC8811R-TF复制
    库存编号
    复卷2706277RL
    切割卷带2706277
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压Vds N沟道12V
    漏源电压Vds P沟道12V
    连续漏极电流 Id N沟道27A
    连续漏极电流 Id P沟道27A
    漏源通态电阻N沟道-
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型CSP
    针脚数6引脚
    耗散功率N沟道2.5W
    耗散功率P沟道2.5W
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)

产品概述

  • 警告

    该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    漏源电压Vds P沟道

    12V

    连续漏极电流 Id P沟道

    27A

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    6引脚

    耗散功率P沟道

    2.5W

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

    漏源电压Vds N沟道

    12V

    连续漏极电流 Id N沟道

    27A

    漏源通态电阻N沟道

    -

    晶体管封装类型

    CSP

    耗散功率N沟道

    2.5W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (14-Jun-2023)

技术文档 3

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00001