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BUL45D2G
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.940 (CNY24.7922) |
| 10+ | CNY16.830 (CNY19.0179) |
| 100+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
| 500+ | CNY12.800 (CNY14.464) |
| 1000+ | CNY11.810 (CNY13.3453) |
| 5000+ | CNY11.580 (CNY13.0854) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY21.94 (CNY24.79 含税)
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产品概述
The BUL45D2G is a NPN state-of-art high speed high gain Bipolar Power Transistor (H2BIP) with high dynamic characteristics and lot-to-lot minimum spread 150ns on storage time makes it ideally suitable for light ballast applications. It offers extremely low storage time minimum/maximum guarantees due to the H2BIP structure which minimizes the spread.
- Low base drive requirement
- Integrated collector-emitter free wheeling diode
- Fully characterized and guaranteed dynamic VCE(sat)
- 6 Sigma process providing tight and reproducible parameter spreads
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
5A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
10hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
75W
晶体管安装
通孔
过渡频率
13MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001