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BSS63LT1G
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY0.860 | CNY4.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.860 (CNY0.9718) |
| 50+ | CNY0.696 (CNY0.7865) |
| 100+ | CNY0.532 (CNY0.6012) |
| 500+ | CNY0.360 (CNY0.4068) |
| 1500+ | CNY0.353 (CNY0.3989) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.268 (CNY0.3028) |
| 9000+ | CNY0.263 (CNY0.2972) |
品項附註
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产品概述
The BSS63LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
100mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
95MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
BSS63LT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000132