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BSS138W
功率场效应管, MOSFET, N通道, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.080 | CNY15.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 50+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 100+ | CNY2.100 (CNY2.373) |
| 500+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
| 1500+ | CNY1.370 (CNY1.5481) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.763 (CNY0.8622) |
| 9000+ | CNY0.748 (CNY0.8452) |
品項附註
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产品概述
The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
210mA
晶体管封装类型
SOT-323
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
50V
漏源接通状态电阻
3.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001021