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BSS123
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY1.470 | CNY7.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
| 50+ | CNY1.200 (CNY1.356) |
| 100+ | CNY0.920 (CNY1.0396) |
| 500+ | CNY0.591 (CNY0.6678) |
| 1500+ | CNY0.580 (CNY0.6554) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.511 (CNY0.5774) |
| 9000+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BSS123
库存编号
整卷2251951
复卷9845321RL
切割卷带9845321
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续170mA
漏源接通状态电阻6ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散360mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
BSS123是采用SOT-23封装的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管。该产品在提供坚固可靠、快速开关性能的同时，最大限度降低导通电阻，适用于低电压、低电流应用场景，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器及其他开关应用。
- 漏-源电压(Vds): 100V
- 栅-源电压: 20V
- Vgs 10V时, 低导通电阻1.2ohm
- 持续漏电流为170mA
- 最大功耗为360mW
- 工作结温范围：-55°C至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
6ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000036